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一种去除二氧化硅颗粒的抛光液
作者:mg国际老虎机   发布时间:2020-03-13 21:31

  【摘要】本发明公开了一种去除二氧化硅颗粒的抛光液,通过该抛光可以达到清洗去除碳化硅衬底表面颗粒的目的。所述抛光液包括两种成分,其中,成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液;成分二为去离子水。本发明的抛光液不降低碳化硅衬底的厚度、不改变衬底表面的粗糙度,同时不产生任何划痕。通过它不仅能去除衬底表面的二氧化硅颗粒,同时也能去除其他顽固残留的颗粒。加工后的衬底表面,经原子力显微镜检测,粗糙度可稳定达到<0.1nm;经光学表面分析仪检测,衬底有效面积在99%以上。

  (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 5.3 (22)申请日 2017.12.21 (71)申请人 北京世纪金光半导体有限公司 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发区通惠干渠路17号院 (72)发明人 杨三贵刘治州康徐芳 (74)专利代理机构 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人 张宇锋 (51)Int.Cl. C 09G 1/18 (2006.01) (54)发明名称 一种去除二氧化硅颗粒的抛光液 (57)摘要 本发明公开了一种去除二氧化硅颗粒的抛光液,通过该抛光可以达到清洗去除碳化硅衬底表面颗粒的目的。所述抛光液包括两种成分,其中,成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液;成分二为去离子水。本发明的抛光液不降低碳化硅衬底的厚度、不改变衬底表面的粗糙度,同时不产生任何划痕。通过它不仅能去除衬底表面的二氧化硅颗粒,同时也能去除其他顽固残留的颗粒。加工后的衬底表面,经原子力显微镜检测,粗糙度可稳定达到<0.1nm;经光学表面分析仪检测,衬底有效面积在99%以上。 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 CN 108102554 A 2018.06.01 CN 108102554 A 1.一种去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述抛光液包括两种成分,其中,成分一为异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的混合液;成分二为去离子水。 2.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述抛光液中所述成分一的体积比为8~25%;成分二75~92%。 3.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述成分一中所述异丙醇、二丙二醇甲醚、丙二醇甲醚、乙醇、非离子性表面活性剂以及PH调节剂的体积比分别为2~5%、5~10%、5~10%、15~20%、58%和3~5%。 4.根据权利要求1所述的去除二氧化硅颗粒的抛光液,其特征在于,所述成分一的PH值为13.0~14.0。 权利要求书 1/1 页 CN 108102554 A 2 一种去除二氧化硅颗粒的抛光液 技术领域 [0001] 本发明涉及碳化硅衬底化学机械抛光后、衬底清洗之前的抛光领域,具体涉及一种去除二氧化硅颗粒的抛光液。 背景技术 [0002] SiC衬底是非常重要的第三代半导体材料,由于SiC晶体硬度较大,在后期加工过程中,为达到较高的表面水平,常使用二氧化硅作作为精抛抛光液,然后进行RCA清洗和HF 清洗。 [0003] 半导体衬底表面的洁净度对于获得高成品率的外延产品至关重要,由于精抛使用二氧化硅作为抛光液,其衬底表面主要是二氧化硅颗粒,以及及少量的其他金属粒子和有机成分的残留。 [0004] 由于二氧化硅材料的特性,即便使用RCA或超声来清洗,也很难将其彻底去除,清洗后是仍有大量的二氧化硅颗粒聚集在衬底表面,从而降低衬底的有效使用面积,导致衬底清洗失败。提高衬底有效面积,是衬底外延必须解决的棘手环节。 发明内容 [0005] 针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种去除二氧化硅颗粒的抛光液,该抛光液的特点是一种抛光液通过化学机械作用将衬底表面的SiO2颗粒去除。它不降低碳化硅衬底的厚度、不改变衬底表面的粗糙度,同时不产生任何划痕。它不仅能去除衬底表面的二氧化硅颗粒,同时对于精抛所引入的顽固颗粒,去除效果更加明显。 [0006] 为实现上述


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