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倒装芯片工艺制程要求
作者:mg国际老虎机   发布时间:2019-12-23 04:40

  倒装芯片技术分多种工艺方法,每一种都有许多变化和不同应用。举例来说,根据产品技术所要求的印制板或的类型 - 有机的、陶瓷的或柔性的- 决定了组装材料的选择(如凸点类型、焊料、底部填充材料),并在一定程度上决定了所须的工艺设备。公司必须决定采用哪一种技术,决定哪些工艺要靠外协,并决定需要哪些研究和发展资源,以便满足将来的产品要求,同时将投资和运作成本减到最少。

  在SMT环境下最通常的和最适宜实现的方法是焊料倒装芯片组装工艺,我们将更详细地予以描述。此技术有许多变种,必须全面考虑,以确保满足可制造性、可靠性和成本目标。今天广泛的使用的倒装芯片技术主要由互连结构来定义。举例来说,柔顺性凸点(compliant-bump)工艺是指用导电的聚合体凸点或镀金的聚合体/人造橡胶凸点来实现的工艺。短柱凸点(Stub-bump)技术使用球键合(主要用金丝)或电镀,然后用各向同性导电的黏接剂来组装。使用各向异性的导电薄膜或糊膏时,集成电路的键合焊盘无需或只需微小改变。焊料凸点的生成技术包括蒸发、电镀、化学镀层、模板印刷、喷涂等等。

  选定的互连技术决定了必需的工艺 - 究竟是回流焊、热超声、热压、还是瞬态液相的键合工艺。每一种工艺都有它的优点和缺点, 通常是随应用来决定。然而,从整合到标准的SMT工艺的难易程度看,焊料倒装芯片组装工艺是最通用的,并且它被证明和SMT完全兼容。

  ②倒装芯片采用了双层布线D金属为P、N大面积多层加厚金属Bonding电极,简单来讲芯片正面只可以看到两大块分割开的P、N Bonding电极。

  信息安森美半导体的e PowerEdge系列低V 晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(V )和高电流增益能力。这些设计用于低电压,高速激励应用,其中经济实惠的高效能量控制非常重要。典型应用包括DC-DC转换器和LED闪电,电源管理等。在汽车工业中,它们可用于气囊部署,LED应用和仪表板。高电流增益允许e PowerEdge器件直接从PMU的控制输出和线性增益(Beta)驱动。 用于汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求;符合AEC-Q101标准且具有PPAP功能 NSV60201SMTWTBG - 可湿性侧翼设备 这些设备无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息安森美半导体的e PowerEdge系列低V 晶体管是微型表面贴装器件,具有超低饱和电压(V )和高电流增益能力。这些设计用于低电压,高速激励应用,其中经济实惠的高效能量控制非常重要。典型应用包括DC-DC转换器和LED闪电,电源管理等。在汽车工业中,它们可用于气囊部署,LED应用和仪表板。高电流增益允许e PowerEdge器件直接从PMU的控制输出和线性增益(Beta)驱动。 用于汽车和其他应用的NSV前缀需要独特的站点和控制变更要求; AEC-Q101合格且PPAP能力 NSV60200SMTWTBG - 可湿性侧翼包装 这些器件无铅,无卤素/ BFR,符合RoHS标准...

  信息优势和特点 Pout: -7 dBm 相位噪声: -105 dBc/Hz(100 KHz,典型值) 无需外部谐振器 单电源: 5V (290 mA) QSOP16G SMT封装产品详情HMC401QS16G(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC401QS16G(E)集成谐振器、负电阻器件、变容二极管和8分频分频器。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用5V电源电压时,输出功率为-7 dBm(典型值)。 电压控制振荡器采用低成本、表面贴装16引脚QSOP封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 应用 点对点无线电 点对(多)点无线电 / LMDS VSAT电路图、引脚图和封装图...

  信息优势和特点 符合RoHS标准4x4 mm陶瓷SMT封装 非反射式拓扑 低插入损耗:1.6 dB 单正电源:Vdd = +5V 集成式3:8 TTL/CMOS解码器:0/+3V产品详情HMC253A是一款非反射SP8T开关,采用符合RoHS标准的无引脚4 mm x 4 mm SMT陶瓷封装和24引脚QSOP封装,宽带工作频率范围为DC至3.5 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性,使其可采用0/3 V控制电源和5 V电源工作。 该开关上集成了3:8解码器,仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径。 HMC253A SP8T可取代SP4T和SPDT MMIC开关的多种配置。 应用 基站和中继器 WiMAX/WiBro和固定无线G基础设施 CATV/DBS 军事和高可靠性...

  信息优势和特点 低插入损耗:0.4 dB(典型值) 输出三阶交调截点(IP3):55 dBm(典型值) 正控制电压:0 V / 3 V 超小型封装:SOT-23产品详情HMC221B是一款单刀双掷(SPDT)开关,额定频率范围为10 kHz至3 GHz,采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关提供低于0.8 dB的极低插入损耗(频率高达3 GHz时),非常适合要求低插入损耗和小尺寸的接收器和滤波器开关应用。关断状态下,RF1和RF2反射短路,而两个控制电压(A和B引脚)所需直流偏置电流极低。请注意,HMC197B在备选引脚排列方面具有相似的性能。应用 工业、科研和医疗(ISM) PCMCIA无线卡 蜂窝应用电路图、引脚图和封装图...

  信息优势和特点 增益: 15 dB 饱和功率: +21.5 dBm (25% PAE) 单正电源: +5V 50 Ω匹配输入/输出 密封型SMT封装,25mm² 按照MIL-PRF-38535筛选提供(等级B或等级S) 产品详情HMC441LH5是一款宽带7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用密封型SMT无引脚封装。 该放大器提供15 dB增益,饱和功率为21.5 dBm(25% PAE时),电源电压为+5V。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件,且RF I/O经过隔直,非常适合用作线性增益模块或驱动放大器。 HMC441LH5可以使用表贴制造技术,适用于高可靠性军事、工业和空间应用。 应用 电信基础设施 军用无线电、雷达和ECM 空间系统 测试仪器仪表...

  和特点 支持高达12.5 Gbps的数据速率 差分小信号增益: 32 dB 可编程信号丢失检测(LOS) 自动输出禁用模式 可调差分饱和O/P电压摆幅,最高750 mV 集成直流失调校正 接收信号强度指示(RSSI)输出 24引脚4x4mm SMT封装: 16mm² 产品详情 HMC914LP4E是一款限幅放大器,设计支持高达12.5 Gbps的数据传输速率。 该放大器可在各种输入电压电平范围内工作,提供恒定的差分输出摆幅。 HMC914LP4E具有信号丢失(LOS)指示器输出,输入信号幅度阈值电平可通过LOSTH引脚调节。 HMC914LP4E还集成一个输出电平控制引脚VAC,可用于损耗补偿或输出信号电平优化。 差分输出信号摆幅可调节至最高750 mVp-p。此外,片上还提供集成式直流失调补偿。 HMC914LP4E提供模拟RSSI输出电压,该电压与输入信号幅度成比例。 所有单端输入信号均以50 Ω端接至片上+3.3V,并可交流或直流耦合。 HMC914LP4E的输出可采用差分或单端配置工作。 HMC914LP4E采用+3.3V DC单电源供电,提供符合RoHS标准的4x4 mm SMT塑料封装。 应用 基于SONET/SDH的传输系统 OC-192光纤模块 10 Gb以太网 8x和10x光纤通道 宽...

  和特点 支持高达12.5 Gbps数据速率 差分增益: 44 dB 2mV p-p输入灵敏度 3 dB带宽: 11 GHz 集成直流失调校正 可调差分饱和O/P电压摆幅可达880 mVp-p +5V单电源 极低RMS抖动降低 24引脚4x4mm SMT封装: 16mm² 产品详情 HMC750是一款限幅放大器,支持高达12.5 Gbps的数据传输速率。 该放大器可在各种输入电压电平范围内工作,提供恒定的差分输出摆幅。 HMC750还具有输出电平控制引脚VC1,,可用于损耗补偿或信号电平优化。 差分输出信号摆幅可调节至880 mVp-p。高于3 mVp-p的输入信号可放大至880 mVp-p差分饱和信号。 所有HMC750单端输入信号通过50欧姆片内端接至+5V,可采用交流或直流耦合。 HMC750输出支持差分或单端操作。 输出可直接连接至50 ohm端接系统(以+5V为基准),同时如果端接系统50欧姆接至非+5V电压,可使用隔直电容。 HMC750采用+5V DC单电源供电,采用符合RoHS标准的4x4 mm SMT塑料封装。 应用 OC-192接收机 10 Gbps以太网接收机 10 Gbps光纤通道接收机 宽带测试和测量 方框图...

  和特点 输出功率: +15 dBm 宽输入功率范围: 0至+10 dBm 100 kHz SSB相位噪声: -140 dBc/Hz +5V(75 mA电源) 16 mm²无铅QFN SMT封装 产品详情 HMC369LP3(E)是一款采用InGaP GaAs HBT技术的有源微型x2倍频器,提供3x3 mm无引脚QFN表贴封装。 功率输出为+4 dBm(典型值),单电源电压为+5V,在不同的输入功率、温度和电源电压下变化很小。 在输出信号电平方面,对无用基波和次谐波的抑制为30 dBc(典型值)。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-142 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 HMC369LP3(E)非常适合在LO倍频器链路中使用,与传统方法相比可以减少器件数量。 HMC369LP3(E)还用于OC-192时钟恢复。 输入端应用10 GBPS数据可在输出端产生-7 dBm时钟音,杂散信号抑制为25 dB。 应用 OC-192时钟恢复 微波无线电和VSAT 军用无线电、雷达和ECM 测试仪器仪表方框图...

  和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 7 dBm 单直流电源: +5V 8引脚密封型SMT封装 产品详情 HMC365G8是一款低噪声4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用8引脚密封型表贴玻璃/金属封装。 此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 点对点/多点无线电 VSAT无线电 光纤产品 测试设备 太空和军事 方框图...

  和特点 集成LO放大器: -4 dBm输入 次谐波(x2) LO 高2LO/RF隔离: 28 dB LM3 SMT封装 产品详情 HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表贴次谐波(x2) MMIC混频器下变频器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 在28至47 dB时,2LO至RF和IF隔离性能出色,无需额外滤波。 LO放大器采用单偏置(+3V至+4V)双级设计,仅需-4 dBm的驱动。 所有数据均通过安装在50 Ω测试夹具中的非密封型、环氧树脂密封LM3封装器件获取。 采用HMC265LM3即无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 20和31 GHz微波无线电 点对点无线电下变频器 LMDS 和SATCOM方框图...

  和特点 超低SSB相位噪声: -151 dBc/Hz 宽带宽 输出功率: 5 dBm 单直流电源: +5V S8G SMT封装 产品详情 HMC365S8G(E)是一款低噪声4分频静态分频器,使用InGaP GaAs HBT技术,采用8引脚表贴塑料封装。 此器件在DC(使用方波输入)至13 GHz的输入频率下工作,使用+5V DC单电源。 100 kHz偏置时的低加性SSB相位噪声为-151 dBc/Hz,有助于用户保持良好的系统噪声性能。 应用 卫星通信系统 光纤产品 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...

  和特点 增益: 17 dB 饱和功率: +29 dBm 38% PAE 电源电压: +5V 省电功能 外部器件数量少 产品详情 HMC406MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC功率放大器,工作频率范围为5至6 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供17 dB增益,饱和功率为+29 dBm(38% PAE时),电源电压为+5V。 Vpd可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 应用 UNII HiperLAN & 802.11a WLAN 方框图...

  和特点 饱和功率: +23 dBm (27% PAE) 增益: 14 dB 电源电压: +5V 50 Ω匹配输入/输出 产品详情 HMC442LM1是一款宽带17.5至24 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 LM1采用真正的表贴宽带毫米波封装,提供低损耗和出色的I/O匹配,并保持MMIC芯片性能。 该放大器提供14 dB增益,饱和功率为+23 dBm(27% PAE时),电源电压为+5V。 50 Ω匹配放大器在RF输入和输出端上集成隔直,非常适合用作线性增益模块、发射链驱动器或HMC SMT混频器LO驱动器。 作为芯片和电线混合组件的替代器件,HMC442LM1无需线焊,从而为客户提供一致的接口。 应用 点对点无线电 点对多点无线电 VSAT方框图...

  和特点 三路输出: Fo= 9.5 - 10.8 GHz Fo/2= 4.75 - 5.4 GHz Fo/4= 2.38 - 2.7 GHz Pout: +11 dBm 相位噪声: 典型值为-110 dBc/Hz(100 kHz) 无需外部谐振器 QFN无引脚SMT封装,25 mm² 产品详情 HMC530LP5(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC VCO。 HMC530LP5(E)集成了谐振器、负电阻器件和变容二极管,可输出半频,并提供4分频输出。 由于振荡器的单芯片结构,VCO的相位噪声性能在温度、冲击和工艺条件下尤为出色。 采用+5V电源电压时,输出功率为+11 dBm(典型值)。 如果不需要,可以禁用预分频器和RF/2功能以节省电流。 该电压控制振荡器采用无引脚QFN 5x5 mm表贴封装,无需外部匹配元件。应用 点对点无线电  点对多点无线电 测试设备和工业控制  卫星通信 军事最终用途 方框图...

  和特点 低插入损耗: 0.4dB 小型封装: MSOP8 高输入IP3: +50 dBm 正控制电压: 0/+3V (0.1 uA) 产品详情 HMC190BMS8(E)是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装。 该开关可控制DC至3 GHz范围的信号。 它尤其适合采用正控制电压的中低功耗应用。 这两个控制电压所需的直流电流非常小,极其适合0.9、1.9和2.4 GHz频率范围的电池供电无线 dBm第三阶交调性能。 该设计针对小型MSOP封装进行了优化,保持优于1.2:1至2 GHz的VSWR性能。 该器件为HMC239AS8(E)负控制器件的正控制MSOP8封装版本。应用 MMDS和无线局域网 便携式无线系统方框图...


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